钙钛矿型铁电体Pb（Zr;Ti）O3和SrBi2Ta2O9的缺陷行为研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 王志勇 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1998-08-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 陈延国 ; 施天生 |
| 关键词 | 铁电体 PZT陶瓷 陶陷 低频内耗 |
| 学位专业 | 材料物理 |
| 中文摘要 | 在该论文中,研究人员利用对材料微结构变化极为敏感的内耗测试手段,系统地研究了PZT陶恣的低频内耗行为,并辅以TEM和SEM分析,以期在理解该材料内行为的基础上,获得有关PZT中罐头空位的迁移、分布及其与畴界交互作用机制方面的信息.通过内耗峰谱分析,发现P2峰具有非Debye型弛豫行为,提出其与非180°畴界附近的氧空位团簇的弛豫相关.基于关联态模型,对P2峰的特作了很好的描述,并求取了PZT中罐头空位的本征迁移能,为0.6eV左右,这一结果提示了PZT中的氧空位在非181°畴界附近局域化分布的特征.对PZ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 108 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83908]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王志勇. 钙钛矿型铁电体Pb（Zr;Ti）O3和SrBi2Ta2O9的缺陷行为研究[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1998. |
入库方式： OAI收割
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