硅中氢、氦离子注入纳米孔层的形成及其应用：Smart-cutSOI及吸杂
文献类型：学位论文
| 作者 | 张苗 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1998-02-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 林成鲁 |
| 关键词 | SOI技术 硅集成电路技术 低功耗电路 |
| 学位专业 | 搬到他物理与半导体器件物理 |
| 中文摘要 | SOI技术被誉为"20世纪的硅集成电路技术",在航空航天与军事电子领域获得了重要应用,并已成为低压、低功耗电路的首选材料.该论文选择SOI技术发展的前沿课题以及SOI应用中的一些关键问题对象,获得了一些新结果. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 115 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83920]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张苗. 硅中氢、氦离子注入纳米孔层的形成及其应用：Smart-cutSOI及吸杂[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1998. |
入库方式： OAI收割
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