SiC、AiN薄膜的脉冲准分子激光沉积与氧离子注入6H-SiC的物理效应
文献类型：学位论文
| 作者 | 黄继颇 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1999-04-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 林成鲁 ; 王连卫 |
| 关键词 | SiC AlN薄膜 物理性质 脉冲激光沉积 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 该论文围绕高质量SiC和AlN薄膜的的制备与物理性质的研究,并结合全国自然科学基金项目、上海市启明星计划项目以及与瑞典皇家工学院的国际合作项目的要求,开展了脉冲激光沉积制备SiC和AlN薄膜,电子束蒸发与氮化合成AlN薄膜以及O<'+>注入5H-SiC的物理效应等方面的研究. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 87 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83928]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄继颇. SiC、AiN薄膜的脉冲准分子激光沉积与氧离子注入6H-SiC的物理效应[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1999. |
入库方式： OAI收割
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