薄氧化硅可靠性及击穿机理研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 胡恒升 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2000-07-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 张敏 |
| 关键词 | 薄氧化硅 击穿机理 陷阱 等离子体 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 该论文主要研究薄膜氧化硅的电性能行为和击穿机理.在不同电流密度下对不同氧化硅厚度和不同面积的MOS电容进行测量,根据测得的击穿电量Q<,bd>、初始电压V<,ini>以及测量过程中的电压增量△V<,bd>等参数的威布尔分布来讨论电子破坏氧化硅的行为. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 134 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83975]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡恒升. 薄氧化硅可靠性及击穿机理研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 2000. |
入库方式： OAI收割
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