InGaP/GaAs微结构材料GSMBE生长与特性及HBT和太阳能电池器件研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 陈晓杰 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2001-04-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 李爱珍 |
| 关键词 | 化合物半导体 分子束外延 异质结双极晶体管 太阳电池 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 采用GSMBE技术,研究了GaAs、AlGaAs、InP、InGaP等薄膜材料及其异质结构的生长与特性,研究了InGaP/GaAs异质界面生长中的衬底温度和AsH<,3>、PH<,3>气氛切换及In、Ga束流强度的影响,获得了失配度Δa/a约10<'-4>量级的高质量InGaP外延薄膜,通过优化材料结构生长出高性能的In<,0.49>Ga<,0.51>P/GaAs异质结双极晶体管微结构材料并制备出原型器件.设计的HBT微结构材料中采用了101nm |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 116 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83983]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈晓杰. InGaP/GaAs微结构材料GSMBE生长与特性及HBT和太阳能电池器件研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2001. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。