赝配高速电子迁移晶体管及其微波单片集成电路研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 李洪芹 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2001-04-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 夏冠群 |
| 关键词 | 高电子迁移率晶体管 单片集成电路 低噪声单片集成放大器 微波巴伦双平衡混频器 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 该论文报道了"pHEMT及其微波单片集成电路研究"工作,主要研究内容摘要如下:1.详细介绍了高电子迁移率晶体管从HEMT到pHEMT再到InP基HEMT的发展演变历史,总结了HEMT在卫星通信、汽车雷达、光纤通信等各种微波、毫米波系统中的应用.通过大量的文献综述分析,并根据作者所在研究室的实际情况,提出了自己的研究课题.2.对MESFET与pHEMT进行了详细的比较,介绍了pHEMT二维电子气的形成机理;根据文献调研,从数学物理结构模型出发,总结了pHEMT材料结构与二维电子气浓度的关系,描述了pHEMT |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 97 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83987]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李洪芹. 赝配高速电子迁移晶体管及其微波单片集成电路研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2001. |
入库方式： OAI收割
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