GaAs MESFET器件与光通讯GaAs电路的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 詹琰 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2001-05-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 夏冠群 |
| 关键词 | GaAs MESFET 阈值电压均匀性 旁栅效应 光纤通信 判决电路 时钟提取电路 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 该文讨论了GaAs MESFET器件模型.由二区间模型导出了I<,DS>与V<,GS>和V<,DS>的关系.但由于计算过于复杂,而工艺又多变,使用物理模型处理电路模拟时,误差较大.因此在电路模拟程序SPICE或PSPICE中通常采用Curtice模型和Statz模型.研究结果表明使用Statz模型更适合GaAs电路的模拟.该文设计了一套适合多种工艺的阈值电压均匀性研究测试版图,包括多种材料参数及工艺参数测试图形.分别对采用隔离注入挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺制备 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 101 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83994]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 詹琰. GaAs MESFET器件与光通讯GaAs电路的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2001. |
入库方式： OAI收割
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