硅中H+ He+离子注入引起的物理效应与SOI高速度传感器的研制
文献类型：学位论文
| 作者 | 多新中 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2001-04-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 林成鲁 |
| 关键词 | 硅集成电路 SOI技术 离子注入 物理效应 加速度传感器 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | SOI技术随着低压、低功耗电路的发展也得到了非常大的发展，并被誉为“21世纪的硅集成电路技术”。本论文的主要研究工作集中在三个方面：第一，在Smart-CutSOI材料的制备过程中的离子注入产生的物理效应；第二，利用新技术制备了Smart-CutSOI材料；第三，以SOI材料为基础设计了悬臂梁式高G加速度传感器。系统研究了注氢单晶硅样品中由于离子注入产生的缺陷在退火过程中的变化以及氢元素分布的变化。发现在200-401℃的退火过程中，缺陷持续增加。硅衬底中的氢元素在退火过程中持续逃逸，而分布基本保持不变。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 88 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84001]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多新中. 硅中H+ He+离子注入引起的物理效应与SOI高速度传感器的研制[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2001. |
入库方式： OAI收割
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