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GaAs中Mg+、O+注入埋层及其应用

文献类型:学位论文

作者欧海疆
学位类别硕士
答辩日期1987-07-28
授予单位中国科学院研究生院(上海冶金研究所)  
导师王渭源
学位专业III-V族化合物半导体物理与器件
语种中文
公开日期2012-03-06
页码62
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84092]  
专题上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文(200年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
欧海疆. GaAs中Mg+、O+注入埋层及其应用[D]. 中国科学院研究生院(上海冶金研究所)  . 1987.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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