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INGaAsP/InP P-N-N相位调制器研究

文献类型:学位论文

作者吴长川
学位类别硕士
答辩日期1989-10-10
授予单位中国科学院研究生院(上海冶金研究所)  
导师潘慧珍
学位专业半导体物理与半导体器件物理
语种中文
公开日期2012-03-06
页码59
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84181]  
专题上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文(200年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴长川. INGaAsP/InP P-N-N相位调制器研究[D]. 中国科学院研究生院(上海冶金研究所)  . 1989.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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