TiN/TiSi2薄膜制备及其在集成电路中应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 朱培青 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1995-08-28 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 陈学良 |
| 关键词 | TiN/TiSi< 2> 3> 薄膜 成膜工艺 四探针测试 接触系统TiN/TiSi< 应用 ECL电路 多晶硅发射极晶体管 |
| 学位专业 | 半导体器件物理及微电子技术 |
| 中文摘要 | 该论文研究了TiN/TiSi<,2>薄膜成膜工艺.采有了磁控溅射形成Ti膜,快速热退火形成TiN/TiSi<,2>薄膜及刻蚀工艺研究.对在N<'+>/P-Si和P<'+>/N-Si上形成的硅化物结构进行了四探针测试,XRD分析,Auger及RBS分析,发现在N<'+>/P-Si形成TiSi<,2>有较大的R<,□>.并将该接触系统 Tin/TiSi<,3>应用于ECL电路上多晶硅发射极晶体管,得到性能良好的晶体 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 54 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84353]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱培青. TiN/TiSi2薄膜制备及其在集成电路中应用[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1995. |
入库方式： OAI收割
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