中红外波段III-V族锑化物量子阱激光器材料物理及其与器件的关系
文献类型：学位论文
| 作者 | 赵毅 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1995-05-09 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 李爱珍 |
| 关键词 | 超长波长锑化物 半导体激光器 量子阱材料 理论计算 生长制备 材料特性 |
| 学位专业 | 半导体材料物理 |
| 中文摘要 | 该论文在研制超长波长锑化物半导体激光器的应用背景下,对InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料进行了理论计算、生长制备和材料特性进行了研究. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 73 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84358]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵毅. 中红外波段III-V族锑化物量子阱激光器材料物理及其与器件的关系[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1995. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。