双轴取向YSZ缓冲层的离子束辅助沉积合成研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 袁骏 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1996-04-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 杨根庆 |
| 关键词 | 低能双源离子束辅助沉积 合成 双轴取向 离子束辅助沉积YSZ膜 生长机理 |
| 学位专业 | 半导体物理与半导体器件物理 |
| 中文摘要 | 该论文用低能双源离子束辅助沉积(IBAD)的方法(轰击离子束的方向与衬底法线的夹角ψ=55°)在抛光的Ni-Cr合金上合成了具有双轴取向的YSZ膜,为YBCO超导膜的生长提供了材料基础,并且进一步研究了离子束辅助沉积YSZ膜的生长机理. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 88 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84396]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁骏. 双轴取向YSZ缓冲层的离子束辅助沉积合成研究[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1996. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。