离子束辅助沉积氮化碳膜及反应离子束合成非晶碳化硅膜研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 吴招促 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1996-03-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 俞跃辉 柳襄怀 |
| 关键词 | 低能离子束增强沉积 反应离子束沉积 氮化碳薄膜 非晶含氢碳化硅薄膜 成分 结构 性能 沉积条件 |
| 学位专业 | 材料物理 |
| 中文摘要 | 在单源Kaufman离子源薄膜沉积系统RIBC-2上分别采用低能离子束增强沉积的方法和反应离子束沉积的方法在室温下制备出了高含氮量的氮化碳薄膜和具有较宽的光学禁带宽度和较强的蓝光、蓝绿光荧光效应的非晶含氢碳化硅薄膜,并研究了薄膜的成分、结构和性能与薄膜的沉积条件之间的关系. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 104 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84400]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴招促. 离子束辅助沉积氮化碳膜及反应离子束合成非晶碳化硅膜研究[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1996. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。