薄栅介质层击穿特性与质量评估
文献类型：学位论文
| 作者 | 林立谨 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 1998-08-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 张敏 |
| 关键词 | 栅介质层 SiO< 1> 薄膜 击穿特性 薄栅氧化层 |
| 学位专业 | 半导体器件与微电子学 |
| 中文摘要 | 作为高质量大规模集成电路关键技术之一的栅介质层——SiO<,2>薄膜,其质量的好坏直接关系到器件的成品率、电学性能和使用寿命.测量介质的与时间相关的击穿特性TDDB(Time-DependentDidlectricBreakdown)是一种直接评估介质电学特性的方法,也是硅生级预测器件寿命的方法,是一种直接、实用的测试手段.该论文的主要工作就是验证恒电流TDDB测试方法的可靠性,并在此基础上运用恒电流TDDB测试方法评估不同工艺薄栅氧化层质量,预测8.8nm作为EEPROM隧道氧化层的使用寿命 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 66 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84420]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林立谨. 薄栅介质层击穿特性与质量评估[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1998. |
入库方式： OAI收割
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