碳掺杂GaAs基III-V族化合物半导体的MBE生长、特性及其在器件中的应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 罗宇浩 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1996-07-20 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 李爱珍 |
| 关键词 | 双极型晶体管 激光二极管 GaAs AlGaAs P型掺杂剂 生长 行为 特性测试 器件特性 |
| 学位专业 | 半导体材料 |
| 中文摘要 | 该文结合MBE小组承担的多项国家科研任务,围绕应用于异质结嗓极型晶体管(HBT)和激光二级管(LD)中的GaAs,AlGaAs的常规P型掺杂剂和新型P型掺杂剂进行系统的研究与探索.研究了Be在GaAs材料中的扩散、碳掺杂GaAs,AlGaAs的生长、行为和特性测试及其与器件特性的关系. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 67 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84426]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗宇浩. 碳掺杂GaAs基III-V族化合物半导体的MBE生长、特性及其在器件中的应用[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 1996. |
入库方式： OAI收割
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