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GaAs太阳电池的结构性及结构设计

文献类型:学位论文

作者施小忠
学位类别博士
答辩日期1998
授予单位中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  
导师夏冠群汪乐
关键词太阳电池 结特性 结构设计 GaAs GaAlAs
学位专业半导体物理与半导体器件物理
中文摘要该论文以电池结特性的研究为主,开展了以下四方面的研究:一、制得了效率高的LPE太阳电池.以Zn作p型掺杂剂,选择较合适的生长温度,掺杂深度及外延层厚度,用反腐蚀外延生长技术制得了面积为2×2cm<'2>,效率达18.66﹪(AMO,25℃)的p-Al<,1>Ga<,0-x>As/p-GaAs/n-GaAs太阳电池.二、研究了电池的结特性.首次进行了电池的大电流反向时冲击实验.研究了重掺杂二极管的边界效应,首次将电池的隧道电流及边缘漏电从总的暗电流中分离出来,说明电池边界
语种中文
公开日期2012-03-06
页码103
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/84430]  
专题上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文(200年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
施小忠. GaAs太阳电池的结构性及结构设计[D]. 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  . 1998.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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