Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, YH ; Li, C ; Lai, HK ; Chen, SY |
| 刊名 | NANOTECHNOLOGY
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 21期号:11页码:- |
| 关键词 | GERMANIUM GE RECOMBINATION SI(100) LAYERS SI |
| ISSN号 | 0957-4484 |
| 通讯作者 | Chen, YH, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Fujian, Peoples R China |
| 学科主题 | Nanoscience & Nanotechnology; Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94629]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, YH,Li, C,Lai, HK,et al. Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates[J]. NANOTECHNOLOGY,2010,21(11):-. |
| APA | Chen, YH,Li, C,Lai, HK,&Chen, SY.(2010).Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates.NANOTECHNOLOGY,21(11),-. |
| MLA | Chen, YH,et al."Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon substrates".NANOTECHNOLOGY 21.11(2010):-. |
入库方式： OAI收割
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