Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, C ; Zhang, YG(张永刚） ; Wang, K ; Gu, Y ; Li, HSBY ; Li, YY |
| 刊名 | INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 53期号:3页码:173-176 |
| 关键词 | VAPOR-PHASE EPITAXY PHOTODIODES WAVELENGTH BUFFER LAYERS MOCVD CAP |
| ISSN号 | 1350-4495 |
| 通讯作者 | Zhang, YG, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Instruments & Instrumentation; Optics; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94640]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, C,Zhang, YG,Wang, K,et al. Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m[J]. INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY,2010,53(3):173-176. |
| APA | Li, C,Zhang, YG,Wang, K,Gu, Y,Li, HSBY,&Li, YY.(2010).Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m.INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY,53(3),173-176. |
| MLA | Li, C,et al."Distinction investigation of InGaAs photodetectors cutoff at 2.9 mu m".INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY 53.3(2010):173-176. |
入库方式： OAI收割
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