A Model for THz Silicon Nanotube Transistor
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shan, GC ; Zhang, MA ; Huang, W |
| 刊名 | INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 页码 | 181-182 |
| 关键词 | CARBON |
| 通讯作者 | Zhang, MA, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsystem & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic; Nanoscience & Nanotechnology |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94650]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shan, GC,Zhang, MA,Huang, W. A Model for THz Silicon Nanotube Transistor[J]. INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2,2010:181-182. |
| APA | Shan, GC,Zhang, MA,&Huang, W.(2010).A Model for THz Silicon Nanotube Transistor.INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2,181-182. |
| MLA | Shan, GC,et al."A Model for THz Silicon Nanotube Transistor".INEC: 2010 3RD INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, VOLS 1 AND 2 (2010):181-182. |
入库方式： OAI收割
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