Ge/Sb2Te3 nanocomposite multilayer films for high data retention phase-change random access memory application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, CZ ; Zhai, JW ; Song, ZT ; Shang, F ; Yao, X |
| 刊名 | APPLIED SURFACE SCIENCE
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 257期号:3页码:949-953 |
| 关键词 | THIN-FILMS CRYSTALLIZATION KINETICS STORAGE CELL |
| ISSN号 | 0169-4332 |
| 通讯作者 | Zhai, JW, Tongji Univ, Funct Mat Res Lab, Shanghai 200092, Peoples R China |
| 学科主题 | Chemistry, Physical; Materials Science, Coatings & Films; Physics, Applied; Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94656]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, CZ,Zhai, JW,Song, ZT,et al. Ge/Sb2Te3 nanocomposite multilayer films for high data retention phase-change random access memory application[J]. APPLIED SURFACE SCIENCE,2010,257(3):949-953. |
| APA | Wang, CZ,Zhai, JW,Song, ZT,Shang, F,&Yao, X.(2010).Ge/Sb2Te3 nanocomposite multilayer films for high data retention phase-change random access memory application.APPLIED SURFACE SCIENCE,257(3),949-953. |
| MLA | Wang, CZ,et al."Ge/Sb2Te3 nanocomposite multilayer films for high data retention phase-change random access memory application".APPLIED SURFACE SCIENCE 257.3(2010):949-953. |
入库方式： OAI收割
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