Analysis and modeling of quasi-saturation effect in high-voltage LDMOS transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang, L ; Yang, S |
| 刊名 | ACTA PHYSICA SINICA
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| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 59期号:1页码:571-578 |
| 关键词 | MOSFET MODEL DEVICES CIRCUIT INSIGHTS DESIGN ANALOG |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 通讯作者 | Wang, L, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94681]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, L,Yang, S. Analysis and modeling of quasi-saturation effect in high-voltage LDMOS transistors[J]. ACTA PHYSICA SINICA,2010,59(1):571-578. |
| APA | Wang, L,&Yang, S.(2010).Analysis and modeling of quasi-saturation effect in high-voltage LDMOS transistors.ACTA PHYSICA SINICA,59(1),571-578. |
| MLA | Wang, L,et al."Analysis and modeling of quasi-saturation effect in high-voltage LDMOS transistors".ACTA PHYSICA SINICA 59.1(2010):571-578. |
入库方式： OAI收割
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