InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li, SG ; Gong, Q ; Lao, YF ; Zhang, YG(张永刚） ; Feng, SL ; Wang, HL |
| 刊名 | ELECTRONICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 46期号:2页码:158-U83 |
| ISSN号 | 0013-5194 |
| 通讯作者 | Li, SG, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94685]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, SG,Gong, Q,Lao, YF,et al. InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability[J]. ELECTRONICS LETTERS,2010,46(2):158-U83. |
| APA | Li, SG,Gong, Q,Lao, YF,Zhang, YG,Feng, SL,&Wang, HL.(2010).InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability.ELECTRONICS LETTERS,46(2),158-U83. |
| MLA | Li, SG,et al."InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability".ELECTRONICS LETTERS 46.2(2010):158-U83. |
入库方式： OAI收割
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