In As/GaAs quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang, HD ; Gong, Q ; Li, SG ; Cao, CF ; Xu, CF ; Chen, P ; Feng, SL |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 312期号:23页码:3451-3454 |
| ISSN号 | 0022-0248 |
| 通讯作者 | Gong, Q, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Road, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Crystallography; Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94720]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, HD,Gong, Q,Li, SG,et al. In As/GaAs quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2010,312(23):3451-3454. |
| APA | Yang, HD.,Gong, Q.,Li, SG.,Cao, CF.,Xu, CF.,...&Feng, SL.(2010).In As/GaAs quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,312(23),3451-3454. |
| MLA | Yang, HD,et al."In As/GaAs quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 312.23(2010):3451-3454. |
入库方式： OAI收割
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