Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ren, K ; Rao, F ; Song, ZT ; Wu, LC ; Zhou, XL ; Xia, MJ ; Liu, B ; Feng, SL ; Xi, W ; Yao, DN ; Chen, BM |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 27期号:10页码:108101-108101 |
| 关键词 | RANDOM-ACCESS MEMORY FILMS |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Ren, K, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Lab Nanotechnol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94745]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ren, K,Rao, F,Song, ZT,et al. Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2010,27(10):108101-108101. |
| APA | Ren, K.,Rao, F.,Song, ZT.,Wu, LC.,Zhou, XL.,...&Chen, BM.(2010).Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application.CHINESE PHYSICS LETTERS,27(10),108101-108101. |
| MLA | Ren, K,et al."Si3.5Sb2Te3 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application".CHINESE PHYSICS LETTERS 27.10(2010):108101-108101. |
入库方式： OAI收割
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