NLDD/PHALO-Assisted Low-Trigger SCR for High-Voltage-Tolerant ESD Protection Without Using Extra Masks
文献类型：期刊论文
| 作者 | Shan, Y ; He, J ; Hu, B ; Liu, J ; Huang, W |
| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 30期号:7页码:778-780 |
| 关键词 | CMOS PROCESS |
| ISSN号 | 0741-3106 |
| 通讯作者 | Shan, Y, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94752]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Shan, Y,He, J,Hu, B,et al. NLDD/PHALO-Assisted Low-Trigger SCR for High-Voltage-Tolerant ESD Protection Without Using Extra Masks[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2009,30(7):778-780. |
| APA | Shan, Y,He, J,Hu, B,Liu, J,&Huang, W.(2009).NLDD/PHALO-Assisted Low-Trigger SCR for High-Voltage-Tolerant ESD Protection Without Using Extra Masks.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,30(7),778-780. |
| MLA | Shan, Y,et al."NLDD/PHALO-Assisted Low-Trigger SCR for High-Voltage-Tolerant ESD Protection Without Using Extra Masks".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 30.7(2009):778-780. |
入库方式： OAI收割
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