Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gu, Y ; Zhang, YG(张永刚） ; Li, AZ ; Wang, K ; Li, C ; Li, YY |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 26期号:7页码:77808-77808 |
| 关键词 | MULTIPLE-QUANTUM WELLS GROWTH SINGLE |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Gu, Y, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94753]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gu, Y,Zhang, YG,Li, AZ,et al. Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2009,26(7):77808-77808. |
| APA | Gu, Y,Zhang, YG,Li, AZ,Wang, K,Li, C,&Li, YY.(2009).Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice.CHINESE PHYSICS LETTERS,26(7),77808-77808. |
| MLA | Gu, Y,et al."Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice".CHINESE PHYSICS LETTERS 26.7(2009):77808-77808. |
入库方式： OAI收割
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