TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiao, DY ; Wang, X ; Yu, YH ; Chen, J ; Zhang, M ; Xue, ZY ; Luo, JX |
| 刊名 | MICROELECTRONICS JOURNAL
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 40期号:12页码:1766-1771 |
| 关键词 | SOI MOSFETS MODEL |
| ISSN号 | 0026-2692 |
| 通讯作者 | Xiao, DY, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changnin Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic; Nanoscience & Nanotechnology |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-24 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94874]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiao, DY,Wang, X,Yu, YH,et al. TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap[J]. MICROELECTRONICS JOURNAL,2009,40(12):1766-1771. |
| APA | Xiao, DY.,Wang, X.,Yu, YH.,Chen, J.,Zhang, M.,...&Luo, JX.(2009).TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap.MICROELECTRONICS JOURNAL,40(12),1766-1771. |
| MLA | Xiao, DY,et al."TCAD study on gate-all-around cylindrical (GAAC) transistor for CMOS scaling to the end of the roadmap".MICROELECTRONICS JOURNAL 40.12(2009):1766-1771. |
入库方式： OAI收割
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