ELECTRONIC-PROPERTIES OF A-SI-H AND A-SI-F FILMS PRODUCED BY ION-IMPLANTATION
文献类型：期刊论文
| 作者 | BOHRINGER, K ; LIU, XH ; KALBITZER, S |
| 刊名 | JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 卷号 | 16期号:33页码:L187-L192 |
| ISSN号 | 0022-3719 |
| 通讯作者 | BOHRINGER, K, MAX PLANCK INST NUCL PHYS,D-6900 HEIDELBERG,FED REP GER |
| 学科主题 | Physics, Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98026]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BOHRINGER, K,LIU, XH,KALBITZER, S. ELECTRONIC-PROPERTIES OF A-SI-H AND A-SI-F FILMS PRODUCED BY ION-IMPLANTATION[J]. JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS,1983,16(33):L187-L192. |
| APA | BOHRINGER, K,LIU, XH,&KALBITZER, S.(1983).ELECTRONIC-PROPERTIES OF A-SI-H AND A-SI-F FILMS PRODUCED BY ION-IMPLANTATION.JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS,16(33),L187-L192. |
| MLA | BOHRINGER, K,et al."ELECTRONIC-PROPERTIES OF A-SI-H AND A-SI-F FILMS PRODUCED BY ION-IMPLANTATION".JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS 16.33(1983):L187-L192. |
入库方式： OAI收割
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