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DEFECT CONTROL AND UTILIZATION IN SILICON SUBSTRATES FOR VLSI

文献类型:期刊论文

作者XU,K ; WANG,WL ; SHI,ZL ; LUO,GC ; HE,DZ ; SHAO,HW
刊名AIP CONFERENCE PROCEEDINGS
出版日期1984
期号122页码:145-150
ISSN号0094-243X
通讯作者XU, K, ACAD SINICA,SHANGHAI INST MET,865 CHANG NING RD,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA
学科主题Physics, Applied; Physics, Multidisciplinary
收录类别SCI
原文出处http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=239&SID=Q2KJI8fO7EELblcPNIl&page=1&doc=1
语种英语
公开日期2012-03-25
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98031]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
XU,K,WANG,WL,SHI,ZL,et al. DEFECT CONTROL AND UTILIZATION IN SILICON SUBSTRATES FOR VLSI[J]. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS,1984(122):145-150.
APA XU,K,WANG,WL,SHI,ZL,LUO,GC,HE,DZ,&SHAO,HW.(1984).DEFECT CONTROL AND UTILIZATION IN SILICON SUBSTRATES FOR VLSI.AIP CONFERENCE PROCEEDINGS(122),145-150.
MLA XU,K,et al."DEFECT CONTROL AND UTILIZATION IN SILICON SUBSTRATES FOR VLSI".AIP CONFERENCE PROCEEDINGS .122(1984):145-150.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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