DEFECT CONTROL AND UTILIZATION IN SILICON SUBSTRATES FOR VLSI
文献类型:期刊论文
作者 | XU,K ; WANG,WL ; SHI,ZL ; LUO,GC ; HE,DZ ; SHAO,HW |
刊名 | AIP CONFERENCE PROCEEDINGS
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出版日期 | 1984 |
期号 | 122页码:145-150 |
ISSN号 | 0094-243X |
通讯作者 | XU, K, ACAD SINICA,SHANGHAI INST MET,865 CHANG NING RD,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
学科主题 | Physics, Applied; Physics, Multidisciplinary |
收录类别 | SCI |
原文出处 | http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=239&SID=Q2KJI8fO7EELblcPNIl&page=1&doc=1 |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-03-25 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98031] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | XU,K,WANG,WL,SHI,ZL,et al. DEFECT CONTROL AND UTILIZATION IN SILICON SUBSTRATES FOR VLSI[J]. AIP CONFERENCE PROCEEDINGS,1984(122):145-150. |
APA | XU,K,WANG,WL,SHI,ZL,LUO,GC,HE,DZ,&SHAO,HW.(1984).DEFECT CONTROL AND UTILIZATION IN SILICON SUBSTRATES FOR VLSI.AIP CONFERENCE PROCEEDINGS(122),145-150. |
MLA | XU,K,et al."DEFECT CONTROL AND UTILIZATION IN SILICON SUBSTRATES FOR VLSI".AIP CONFERENCE PROCEEDINGS .122(1984):145-150. |
入库方式: OAI收割
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