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INELASTIC-SCATTERING OF ELECTRONS AT THE INP-SIO2 INTERFACE

文献类型:期刊论文

作者ERWANG, M ; HUNGREI, Z ; WEIYUAN, W ; LIANG, Y ; GUOPING, F
刊名PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
出版日期1986
卷号135期号:2页码:825-830
ISSN号0370-1972
通讯作者ERWANG, M, ACAD SINICA,SHANGHAI INST MET,865 CHANG HING RD,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA
学科主题Physics, Condensed Matter
收录类别SCI
原文出处http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssb.2221350243/abstract?systemMessage=Wiley+Online+Library+will+be+disrupted+4+Feb+from+10-12+GMT+for+monthly+maintenance
语种英语
公开日期2012-03-25
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98076]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
ERWANG, M,HUNGREI, Z,WEIYUAN, W,et al. INELASTIC-SCATTERING OF ELECTRONS AT THE INP-SIO2 INTERFACE[J]. PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH,1986,135(2):825-830.
APA ERWANG, M,HUNGREI, Z,WEIYUAN, W,LIANG, Y,&GUOPING, F.(1986).INELASTIC-SCATTERING OF ELECTRONS AT THE INP-SIO2 INTERFACE.PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH,135(2),825-830.
MLA ERWANG, M,et al."INELASTIC-SCATTERING OF ELECTRONS AT THE INP-SIO2 INTERFACE".PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH 135.2(1986):825-830.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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