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Recrystallization of polycrystalline silicon films by Ar+ laser irradiation

文献类型:期刊论文

作者LIN, CL(林成鲁) ; SHEN, ZY ; FANG, F ; LIN, ZX ; ZON, SC(邹世昌)
刊名CHINESE PHYSICS
出版日期1986
卷号6期号:3页码:661-664
ISSN号0273-429X
通讯作者LIN, CL, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,SHANGHAI,PEOPLES R CHINA
学科主题Physics ; Multidisciplinary
收录类别SCI
原文出处http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=148&SID=U2Dd7d3LH2B7cJ1ihDC&page=1&doc=1
公开日期2012-03-25
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98077]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
LIN, CL,SHEN, ZY,FANG, F,et al. Recrystallization of polycrystalline silicon films by Ar+ laser irradiation[J]. CHINESE PHYSICS,1986,6(3):661-664.
APA LIN, CL,SHEN, ZY,FANG, F,LIN, ZX,&ZON, SC.(1986).Recrystallization of polycrystalline silicon films by Ar+ laser irradiation.CHINESE PHYSICS,6(3),661-664.
MLA LIN, CL,et al."Recrystallization of polycrystalline silicon films by Ar+ laser irradiation".CHINESE PHYSICS 6.3(1986):661-664.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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