Recrystallization of polycrystalline silicon films by Ar+ laser irradiation
文献类型:期刊论文
作者 | LIN, CL(林成鲁) ; SHEN, ZY ; FANG, F ; LIN, ZX ; ZON, SC(邹世昌) |
刊名 | CHINESE PHYSICS |
出版日期 | 1986 |
卷号 | 6期号:3页码:661-664 |
ISSN号 | 0273-429X |
通讯作者 | LIN, CL, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,SHANGHAI,PEOPLES R CHINA |
学科主题 | Physics ; Multidisciplinary |
收录类别 | SCI |
原文出处 | http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=148&SID=U2Dd7d3LH2B7cJ1ihDC&page=1&doc=1 |
公开日期 | 2012-03-25 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98077] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | LIN, CL,SHEN, ZY,FANG, F,et al. Recrystallization of polycrystalline silicon films by Ar+ laser irradiation[J]. CHINESE PHYSICS,1986,6(3):661-664. |
APA | LIN, CL,SHEN, ZY,FANG, F,LIN, ZX,&ZON, SC.(1986).Recrystallization of polycrystalline silicon films by Ar+ laser irradiation.CHINESE PHYSICS,6(3),661-664. |
MLA | LIN, CL,et al."Recrystallization of polycrystalline silicon films by Ar+ laser irradiation".CHINESE PHYSICS 6.3(1986):661-664. |
入库方式: OAI收割
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