AL-DOPED GAAS CRYSTALS GROWN BY THE LEC METHOD
文献类型：期刊论文
| 作者 | DU, LX ; MO, PG ; JU, W |
| 刊名 | MATERIALS LETTERS
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 卷号 | 11期号:8-9页码:277-280 |
| 关键词 | DISLOCATION DENSITY |
| ISSN号 | 0167-577X |
| 通讯作者 | DU, LX, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,865 CHANG NING RD,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
| 学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0167577X9190201G |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98328]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | DU, LX,MO, PG,JU, W. AL-DOPED GAAS CRYSTALS GROWN BY THE LEC METHOD[J]. MATERIALS LETTERS,1991,11(8-9):277-280. |
| APA | DU, LX,MO, PG,&JU, W.(1991).AL-DOPED GAAS CRYSTALS GROWN BY THE LEC METHOD.MATERIALS LETTERS,11(8-9),277-280. |
| MLA | DU, LX,et al."AL-DOPED GAAS CRYSTALS GROWN BY THE LEC METHOD".MATERIALS LETTERS 11.8-9(1991):277-280. |
入库方式： OAI收割
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