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THE EVIDENCE FOR INTERACTION OF THE N-N PAIR WITH OXYGEN IN CZOCHRALSKI SILICON

文献类型:期刊论文

作者QI, MW ; TAN, SS ; ZHU, B ; CAI, PX ; GU, WF ; XU, XM ; SHI, TS ; QUE, DL ; LI, LB
刊名JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
出版日期1991
卷号69期号:6页码:3775-3777
关键词NITROGEN
ISSN号0021-8979
通讯作者QI, MW, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,SHANGHAI,PEOPLES R CHINA
学科主题Physics, Applied
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-03-25
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98358]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
QI, MW,TAN, SS,ZHU, B,et al. THE EVIDENCE FOR INTERACTION OF THE N-N PAIR WITH OXYGEN IN CZOCHRALSKI SILICON[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1991,69(6):3775-3777.
APA QI, MW.,TAN, SS.,ZHU, B.,CAI, PX.,GU, WF.,...&LI, LB.(1991).THE EVIDENCE FOR INTERACTION OF THE N-N PAIR WITH OXYGEN IN CZOCHRALSKI SILICON.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,69(6),3775-3777.
MLA QI, MW,et al."THE EVIDENCE FOR INTERACTION OF THE N-N PAIR WITH OXYGEN IN CZOCHRALSKI SILICON".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 69.6(1991):3775-3777.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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