HIGH ACTIVATION EFFICIENCY IN MG+ IMPLANTED GAAS BY P+ COIMPLANTATION
文献类型:期刊论文
作者 | SHEN, HL ; ZHOU, ZY ; XU, HL ; XIA, GQ ; Zou, SC(邹世昌) |
刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS |
出版日期 | 1992 |
卷号 | 61期号:17页码:2093-2095 |
ISSN号 | 0003-6951 |
关键词 | AS+ DUAL IMPLANTS |
通讯作者 | SHEN, HL, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
学科主题 | Physics, Applied |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-03-25 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98383] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | SHEN, HL,ZHOU, ZY,XU, HL,et al. HIGH ACTIVATION EFFICIENCY IN MG+ IMPLANTED GAAS BY P+ COIMPLANTATION[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,1992,61(17):2093-2095. |
APA | SHEN, HL,ZHOU, ZY,XU, HL,XIA, GQ,&Zou, SC.(1992).HIGH ACTIVATION EFFICIENCY IN MG+ IMPLANTED GAAS BY P+ COIMPLANTATION.APPLIED PHYSICS LETTERS,61(17),2093-2095. |
MLA | SHEN, HL,et al."HIGH ACTIVATION EFFICIENCY IN MG+ IMPLANTED GAAS BY P+ COIMPLANTATION".APPLIED PHYSICS LETTERS 61.17(1992):2093-2095. |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。