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HIGH ACTIVATION EFFICIENCY IN MG+ IMPLANTED GAAS BY P+ COIMPLANTATION

文献类型:期刊论文

作者SHEN, HL ; ZHOU, ZY ; XU, HL ; XIA, GQ ; Zou, SC(邹世昌)
刊名APPLIED PHYSICS LETTERS
出版日期1992
卷号61期号:17页码:2093-2095
ISSN号0003-6951
关键词AS+ DUAL IMPLANTS
通讯作者SHEN, HL, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA
学科主题Physics, Applied
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-03-25
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98383]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
SHEN, HL,ZHOU, ZY,XU, HL,et al. HIGH ACTIVATION EFFICIENCY IN MG+ IMPLANTED GAAS BY P+ COIMPLANTATION[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,1992,61(17):2093-2095.
APA SHEN, HL,ZHOU, ZY,XU, HL,XIA, GQ,&Zou, SC.(1992).HIGH ACTIVATION EFFICIENCY IN MG+ IMPLANTED GAAS BY P+ COIMPLANTATION.APPLIED PHYSICS LETTERS,61(17),2093-2095.
MLA SHEN, HL,et al."HIGH ACTIVATION EFFICIENCY IN MG+ IMPLANTED GAAS BY P+ COIMPLANTATION".APPLIED PHYSICS LETTERS 61.17(1992):2093-2095.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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