PHOTOBEHAVIOR OF PARAMAGNETIC ANION ANTISITES IN PLASTICALLY DEFORMED GAAS
文献类型：期刊论文
| 作者 | BENCHIGUER, T ; MARI, B ; SCHWAB, C ; WU, J ; WANG, GY |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 72期号:4页码:1323-1326 |
| 关键词 | SEMI-INSULATING GAAS EPITAXIAL GAAS DEFECTS DEFORMATION DISLOCATIONS CRYSTALS BULK EL2 |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 通讯作者 | BENCHIGUER, T, UNIV LOUIS PASTEUR,CTR RECH NUCL,IN2P3,CNRS,RECH PHYS & MAT GRP,BP 20,F-67037 STRASBOURG 2,FRANCE |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98396]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BENCHIGUER, T,MARI, B,SCHWAB, C,et al. PHOTOBEHAVIOR OF PARAMAGNETIC ANION ANTISITES IN PLASTICALLY DEFORMED GAAS[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,1992,72(4):1323-1326. |
| APA | BENCHIGUER, T,MARI, B,SCHWAB, C,WU, J,&WANG, GY.(1992).PHOTOBEHAVIOR OF PARAMAGNETIC ANION ANTISITES IN PLASTICALLY DEFORMED GAAS.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,72(4),1323-1326. |
| MLA | BENCHIGUER, T,et al."PHOTOBEHAVIOR OF PARAMAGNETIC ANION ANTISITES IN PLASTICALLY DEFORMED GAAS".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 72.4(1992):1323-1326. |
入库方式： OAI收割
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