QUASI-BALLISTIC ELECTRON-TRANSPORT IN INP/INGAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
文献类型：期刊论文
| 作者 | YANG, YF ; HOUSTON, PA ; HOPKINSON, M |
| 刊名 | ELECTRONICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 28期号:2页码:145-147 |
| ISSN号 | 0013-5194 |
| 通讯作者 | YANG, YF, UNIV SHEFFIELD,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,SHEFFIELD S1 3JD,S YORKSHIRE,ENGLAND |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=00118934 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98420]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | YANG, YF,HOUSTON, PA,HOPKINSON, M. QUASI-BALLISTIC ELECTRON-TRANSPORT IN INP/INGAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS[J]. ELECTRONICS LETTERS,1992,28(2):145-147. |
| APA | YANG, YF,HOUSTON, PA,&HOPKINSON, M.(1992).QUASI-BALLISTIC ELECTRON-TRANSPORT IN INP/INGAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS.ELECTRONICS LETTERS,28(2),145-147. |
| MLA | YANG, YF,et al."QUASI-BALLISTIC ELECTRON-TRANSPORT IN INP/INGAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS".ELECTRONICS LETTERS 28.2(1992):145-147. |
入库方式： OAI收割
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