GROWTH OF EPITAXIAL COSI2 FILM ON SI(100) SUBSTRATE-INDUCED BY AN INTERFACIAL TI LAYER
文献类型：期刊论文
| 作者 | LIU, P ; LI, BZ ; ZHOU, ZY ; LIN, CL ; Zou, SC(邹世昌） |
| 刊名 | MATERIALS LETTERS
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 17期号:6页码:383-387 |
| 关键词 | SILICON |
| ISSN号 | 0167-577X |
| 通讯作者 | LIU, P, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,ION BEAM LAB,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
| 学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0167577X9390131G |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98452]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LIU, P,LI, BZ,ZHOU, ZY,et al. GROWTH OF EPITAXIAL COSI2 FILM ON SI(100) SUBSTRATE-INDUCED BY AN INTERFACIAL TI LAYER[J]. MATERIALS LETTERS,1993,17(6):383-387. |
| APA | LIU, P,LI, BZ,ZHOU, ZY,LIN, CL,&Zou, SC.(1993).GROWTH OF EPITAXIAL COSI2 FILM ON SI(100) SUBSTRATE-INDUCED BY AN INTERFACIAL TI LAYER.MATERIALS LETTERS,17(6),383-387. |
| MLA | LIU, P,et al."GROWTH OF EPITAXIAL COSI2 FILM ON SI(100) SUBSTRATE-INDUCED BY AN INTERFACIAL TI LAYER".MATERIALS LETTERS 17.6(1993):383-387. |
入库方式： OAI收割
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