STUDIES ON EXCIMER-LASER DOPING OF GAAS USING SULFUR ADSORBATE AS DOPANT SOURCE
文献类型：期刊论文
| 作者 | ZHANG,SK ; SUGIOKA,K ; FAN,J ; TOYODA,K ; Zou,SC |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 58期号:2页码:191-195 |
| 关键词 | SILICON SI BORON IRRADIATION AMBIENT GAS |
| ISSN号 | 0947-8396 |
| 通讯作者 | ZHANG, SK, INST PHYS & CHEM RES,LASER SCI RES GRP,WAKO,SAITAMA 35101,JAPAN |
| 学科主题 | Materials Science ; Multidisciplinary; Physics ; Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98541]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ZHANG,SK,SUGIOKA,K,FAN,J,et al. STUDIES ON EXCIMER-LASER DOPING OF GAAS USING SULFUR ADSORBATE AS DOPANT SOURCE[J]. APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,1994,58(2):191-195. |
| APA | ZHANG,SK,SUGIOKA,K,FAN,J,TOYODA,K,&Zou,SC.(1994).STUDIES ON EXCIMER-LASER DOPING OF GAAS USING SULFUR ADSORBATE AS DOPANT SOURCE.APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING,58(2),191-195. |
| MLA | ZHANG,SK,et al."STUDIES ON EXCIMER-LASER DOPING OF GAAS USING SULFUR ADSORBATE AS DOPANT SOURCE".APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 58.2(1994):191-195. |
入库方式： OAI收割
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