GROWTH-KINETICS OF GASB BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
文献类型：期刊论文
| 作者 | WEI, GY ; PENG, RW |
| 刊名 | JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 23期号:2页码:217-220 |
| 关键词 | GALLIUM ANTIMONIDE MOVPE |
| ISSN号 | 0361-5235 |
| 通讯作者 | WEI, GY, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
| 学科主题 | Engineering, Electrical & Electronic; Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98567]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WEI, GY,PENG, RW. GROWTH-KINETICS OF GASB BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY[J]. JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,1994,23(2):217-220. |
| APA | WEI, GY,&PENG, RW.(1994).GROWTH-KINETICS OF GASB BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY.JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS,23(2),217-220. |
| MLA | WEI, GY,et al."GROWTH-KINETICS OF GASB BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY".JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 23.2(1994):217-220. |
入库方式： OAI收割
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