ION-BEAM SYNTHESIS OF TERNARY PHASE COFE-SILICIDE IN (111)SILICON
文献类型：期刊论文
| 作者 | TAVARES, J ; BENDER, H ; WU, MF ; VANTOMME, A ; LANGOUCHE, G ; LIN, C |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 67期号:7页码:986-988 |
| 关键词 | IMPLANTATION LAYERS |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 通讯作者 | TAVARES, J, IMEC,KAPELDREEF 75,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98591]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TAVARES, J,BENDER, H,WU, MF,et al. ION-BEAM SYNTHESIS OF TERNARY PHASE COFE-SILICIDE IN (111)SILICON[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,1995,67(7):986-988. |
| APA | TAVARES, J,BENDER, H,WU, MF,VANTOMME, A,LANGOUCHE, G,&LIN, C.(1995).ION-BEAM SYNTHESIS OF TERNARY PHASE COFE-SILICIDE IN (111)SILICON.APPLIED PHYSICS LETTERS,67(7),986-988. |
| MLA | TAVARES, J,et al."ION-BEAM SYNTHESIS OF TERNARY PHASE COFE-SILICIDE IN (111)SILICON".APPLIED PHYSICS LETTERS 67.7(1995):986-988. |
入库方式： OAI收割
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