HREM characterization of ion beans synthesized ternary silicides in (111) silicon
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tavares, J ; Bender, H ; Wu, MF ; Vantomme, A ; Langouche, G ; Lin, C |
| 刊名 | MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1995
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 146页码:533-536 |
| 关键词 | IMPLANTATION |
| ISSN号 | 0951-3248 |
| 通讯作者 | Tavares, J, IMEC,KAPELDREEF 75,B-3001 LOUVAIN,BELGIUM |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=91&SID=Q17j6Ejh3Mi@ML3HG1p&page=1&doc=1 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98595]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tavares, J,Bender, H,Wu, MF,et al. HREM characterization of ion beans synthesized ternary silicides in (111) silicon[J]. MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1995,1995,146:533-536. |
| APA | Tavares, J,Bender, H,Wu, MF,Vantomme, A,Langouche, G,&Lin, C.(1995).HREM characterization of ion beans synthesized ternary silicides in (111) silicon.MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1995,146,533-536. |
| MLA | Tavares, J,et al."HREM characterization of ion beans synthesized ternary silicides in (111) silicon".MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 1995 146(1995):533-536. |
入库方式： OAI收割
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