RADIAL-DISTRIBUTION OF LATTICE IMPERFECTIONS IN HG0.8CD0.2TE WAFERS
文献类型：期刊论文
| 作者 | SHI, TS ; ZHU, NC ; SHEN, J ; FANG, JX |
| 刊名 | JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 156期号:3页码:212-215 |
| ISSN号 | 0022-0248 |
| 通讯作者 | SHI, TS, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
| 学科主题 | Crystallography; Materials Science, Multidisciplinary; Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98625]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SHI, TS,ZHU, NC,SHEN, J,et al. RADIAL-DISTRIBUTION OF LATTICE IMPERFECTIONS IN HG0.8CD0.2TE WAFERS[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,1995,156(3):212-215. |
| APA | SHI, TS,ZHU, NC,SHEN, J,&FANG, JX.(1995).RADIAL-DISTRIBUTION OF LATTICE IMPERFECTIONS IN HG0.8CD0.2TE WAFERS.JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,156(3),212-215. |
| MLA | SHI, TS,et al."RADIAL-DISTRIBUTION OF LATTICE IMPERFECTIONS IN HG0.8CD0.2TE WAFERS".JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 156.3(1995):212-215. |
入库方式： OAI收割
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