MOCVD GAINASSB HETEROSTRUCTURE MATERIALS FOR 2-4-MU-M PHOTODETECTORS
文献类型：期刊论文
| 作者 | WEI,GY ; PENG,RW ; WU,W |
| 刊名 | COMPOUND SEMICONDUCTORS 1994
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 141页码:603-606 |
| 关键词 | P-N PHOTODIODES GALLIUM ANTIMONIDE MU-M GROWTH EPITAXY GASB WAVELENGTH RANGE SNTE |
| ISSN号 | 0951-3248 |
| 通讯作者 | WEI, GY, ACAD SINICA,SHANGHAI INST MET,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=190&SID=Q17j6Ejh3Mi@ML3HG1p&page=1&doc=1 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98654]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WEI,GY,PENG,RW,WU,W. MOCVD GAINASSB HETEROSTRUCTURE MATERIALS FOR 2-4-MU-M PHOTODETECTORS[J]. COMPOUND SEMICONDUCTORS 1994,1995(141):603-606. |
| APA | WEI,GY,PENG,RW,&WU,W.(1995).MOCVD GAINASSB HETEROSTRUCTURE MATERIALS FOR 2-4-MU-M PHOTODETECTORS.COMPOUND SEMICONDUCTORS 1994(141),603-606. |
| MLA | WEI,GY,et al."MOCVD GAINASSB HETEROSTRUCTURE MATERIALS FOR 2-4-MU-M PHOTODETECTORS".COMPOUND SEMICONDUCTORS 1994 .141(1995):603-606. |
入库方式： OAI收割
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