Characterization of Schottky contacts on n type 6H-SiC
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang,YG ; Li,XL ; Milnes,AG |
| 刊名 | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 1995
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 142期号:0页码:665-668 |
| ISSN号 | 0951-3248 |
| 通讯作者 | Zhang, YG, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,STATE KEY LAB FUNCT MAT INFORMAT,865 CHANG NING RD,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
| 学科主题 | Physics ; Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=39&SID=Q17j6Ejh3Mi@ML3HG1p&page=1&doc=1 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98699]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang,YG,Li,XL,Milnes,AG. Characterization of Schottky contacts on n type 6H-SiC[J]. SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 1995,1996,142(0):665-668. |
| APA | Zhang,YG,Li,XL,&Milnes,AG.(1996).Characterization of Schottky contacts on n type 6H-SiC.SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 1995,142(0),665-668. |
| MLA | Zhang,YG,et al."Characterization of Schottky contacts on n type 6H-SiC".SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 1995 142.0(1996):665-668. |
入库方式： OAI收割
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