Schottky barrier heights of Cr contacts on n- and p-type 6H-SiC
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, YG(张永刚） ; Li, AZ ; Milnes, AG |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 14期号:6页码:460-463 |
| 关键词 | METAL CONTACTS CHEMISTRY |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 通讯作者 | Zhang, YG, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,STATE KEY LAB FUNCT MAT INFORMAT,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98816]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, YG,Li, AZ,Milnes, AG. Schottky barrier heights of Cr contacts on n- and p-type 6H-SiC[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,1997,14(6):460-463. |
| APA | Zhang, YG,Li, AZ,&Milnes, AG.(1997).Schottky barrier heights of Cr contacts on n- and p-type 6H-SiC.CHINESE PHYSICS LETTERS,14(6),460-463. |
| MLA | Zhang, YG,et al."Schottky barrier heights of Cr contacts on n- and p-type 6H-SiC".CHINESE PHYSICS LETTERS 14.6(1997):460-463. |
入库方式： OAI收割
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