Nearly-degenerate electronic states for Ga3P2 and Ga2P3
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng, PY ; Balasubramanian, K |
| 刊名 | CHEMICAL PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 265期号:3-5页码:547-552 |
| 关键词 | GALLIUM-ARSENIDE CLUSTERS POTENTIAL-ENERGY CURVES SMALL GAAS CLUSTERS SPECTROSCOPIC CONSTANTS SEMICONDUCTORS SPECTRA GA2AS3 |
| ISSN号 | 0009-2614 |
| 学科主题 | Chemistry, Physical; Physics, Atomic, Molecular & Chemical |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98817]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng, PY,Balasubramanian, K. Nearly-degenerate electronic states for Ga3P2 and Ga2P3[J]. CHEMICAL PHYSICS LETTERS,1997,265(3-5):547-552. |
| APA | Feng, PY,&Balasubramanian, K.(1997).Nearly-degenerate electronic states for Ga3P2 and Ga2P3.CHEMICAL PHYSICS LETTERS,265(3-5),547-552. |
| MLA | Feng, PY,et al."Nearly-degenerate electronic states for Ga3P2 and Ga2P3".CHEMICAL PHYSICS LETTERS 265.3-5(1997):547-552. |
入库方式： OAI收割
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