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The effects of fluorine ion implantation on the formation of SIMOX structure

文献类型:期刊论文

作者Zhu, SY ; Lin, CL
刊名THIN SOLID FILMS
出版日期1997
卷号298期号:1-2页码:147-150
关键词BURIED OXIDES SILICON TRANSPORT SI
ISSN号0040-6090
通讯作者Zhu, SY, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,STATE KEY LAB FUNCT MAT INFORMAT,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA
学科主题Materials Science, Multidisciplinary; Materials Science, Coatings & Films; Physics, Applied; Physics, Condensed Matter
收录类别SCI
语种英语
公开日期2012-03-25
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98886]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhu, SY,Lin, CL. The effects of fluorine ion implantation on the formation of SIMOX structure[J]. THIN SOLID FILMS,1997,298(1-2):147-150.
APA Zhu, SY,&Lin, CL.(1997).The effects of fluorine ion implantation on the formation of SIMOX structure.THIN SOLID FILMS,298(1-2),147-150.
MLA Zhu, SY,et al."The effects of fluorine ion implantation on the formation of SIMOX structure".THIN SOLID FILMS 298.1-2(1997):147-150.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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