Highfield effects of layered perovskite ferroelectric thin films
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yang, PX ; Deng, HM ; Chu, JH |
| 刊名 | SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 41期号:5页码:502-510 |
| ISSN号 | 1006-9321 |
| 关键词 | CAPACITORS MEMORIES |
| 通讯作者 | Yang, PX, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering, Multidisciplinary; Materials Science, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | http://www.springerlink.com/content/62n7816k573ww818/ |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2012-03-25 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98943]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文（1999年以前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yang, PX,Deng, HM,Chu, JH. Highfield effects of layered perovskite ferroelectric thin films[J]. SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES,1998,41(5):502-510. |
| APA | Yang, PX,Deng, HM,&Chu, JH.(1998).Highfield effects of layered perovskite ferroelectric thin films.SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES,41(5),502-510. |
| MLA | Yang, PX,et al."Highfield effects of layered perovskite ferroelectric thin films".SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES 41.5(1998):502-510. |
入库方式： OAI收割
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