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High-magnetic-field effects on the terahertz mobility of hot electrons in n-type InSb

文献类型:期刊论文

作者Caetano, EWS ; Mendes, EA ; Freire, VN ; da Costa, JAP ; LEI, XL(雷啸霖)(雷啸霖)
刊名PHYSICAL REVIEW B
出版日期1998
卷号57期号:19页码:11872-11874
关键词NARROW-GAP SEMICONDUCTORS RELAXATION TRANSIENT CARRIERS
ISSN号0163-1829
通讯作者Caetano, EWS, Univ Fed Ceara, Dept Fis, Caixa Postal 6030,Campus Pici, BR-60455760 Fortaleza, Ceara, Brazil
学科主题Physics, Condensed Matter
收录类别SCI
原文出处http://prb.aps.org/abstract/PRB/v57/i19/p11872_1
语种英语
公开日期2012-03-25
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98961]  
专题上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前)
推荐引用方式
GB/T 7714
Caetano, EWS,Mendes, EA,Freire, VN,et al. High-magnetic-field effects on the terahertz mobility of hot electrons in n-type InSb[J]. PHYSICAL REVIEW B,1998,57(19):11872-11874.
APA Caetano, EWS,Mendes, EA,Freire, VN,da Costa, JAP,&LEI, XL.(1998).High-magnetic-field effects on the terahertz mobility of hot electrons in n-type InSb.PHYSICAL REVIEW B,57(19),11872-11874.
MLA Caetano, EWS,et al."High-magnetic-field effects on the terahertz mobility of hot electrons in n-type InSb".PHYSICAL REVIEW B 57.19(1998):11872-11874.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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